廢氣處理設備的種類

廢氣處理設備的種類分為吸收設（shè）備、吸附設備、催化燃（rán）燒設備、等離子治理設備。下（xià）麵（miàn）源和小編針對廢（fèi）氣處理設備的種類為大家一一（yī）介紹。

吸收設備

吸收法采用低揮發或不揮發性溶劑對VOCs進行吸收，再利用VOCs和（hé）吸收（shōu）劑物理性質的差異進行分離。

含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內，在上升過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸，淨化後的氣體由塔頂排出。吸收了VOCs的吸收劑通（tōng）過熱交換器後，進入汽提塔（tǎ）頂（dǐng）部，在溫度高於吸收溫度或壓力低（dī）於吸收（shōu）壓（yā）力的條（tiáo）件下解吸。解吸（xī）後的吸收劑經過溶劑冷凝器冷凝後回到吸（xī）收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液（yè）分離器（qì）後以較純的VOCs氣體離開汽提塔，被回收利用。該工藝適合（hé）於VOCs濃度較高、溫度（dù）較低的氣（qì）體淨（jìng）化，其他情（qíng）況下需要作相應的工藝（yì）調整。

吸附設備

在用多（duō）孔性固體物質處理流（liú）體混合物時，流體中（zhōng）的某一組分或某些組（zǔ）分可被吸表（biǎo）麵並濃集其上，此現（xiàn）象（xiàng）稱為吸附。吸附處理廢（fèi）氣時，吸附的對象是氣態汙染物，氣固吸附。被吸附（fù）的氣體組分稱為吸附質，多孔固體物質稱為（wéi）吸附劑。

固體表麵吸附了吸附質後，一部被吸附的吸附質（zhì）可從吸附劑表麵脫離，此現附。而當吸（xī）附進行一段時間後，由於表麵吸附質（zhì）的濃（nóng）集，使其吸附（fù）能力明顯下降而吸附淨化的要求（qiú），此時需要采（cǎi）用（yòng）一定的措施（shī）使（shǐ）吸附劑上（shàng）已吸（xī）附的吸附質脫附，以協的吸（xī）附能力，這個過程稱為吸附劑（jì）的再生。因此在實際吸附工程中，正是利（lì）用吸附一再生一再（zài）吸（xī）附的循環過程，達到除（chú）去廢氣中汙染物質並回收廢氣中有用組分。

催化燃燒設（shè）備

燃燒法用於處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理（lǐ）是用過量的空氣使這些雜質燃燒，大多數生成二（èr）氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中（zhōng）。但當處理含（hán）氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產物中HCl或SO2，需（xū）要對燃（rán）燒後氣體進一步處理。

等離子治理設（shè）備

等離子體就是（shì）處於電離狀態的氣體，其英文名（míng）稱是（shì）plasma，它是（shì）由（yóu）美國科學 muir，於1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放電現象（xiàng）時命名的（de）。等離子體由大量的子、中性原子、激發態原子、光子（zǐ）和自由基等（děng）組成，但電子和正離子的電荷數必須體表現出（chū）電中性，這就是“等離子體”的含義。等離子體具有（yǒu）導電（diàn）和受電磁影響的許多方麵與固體、液體和氣體不同，因此又有人把它稱為物質的第四種狀態。根據狀態、溫度和離子密度，等離子（zǐ）體通常可以分為高溫等（děng）離子（zǐ）體和低溫等離子體（包子體和冷等離子體）。其中（zhōng）高溫等離子體的電離度接（jiē）近1，各種粒子溫（wēn）度（dù）幾乎相同係處於（yú）熱力學平衡狀態，它主要應用（yòng）在受控（kòng）熱核反應研究方麵。而低溫等離子體則學非（fēi）平衡狀態，各（gè）種粒子溫度並不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti)，可達104K以上，而其離子和中（zhōng）性粒子的溫度卻可低到300～500K。一般（bān）氣（qì）體放電子體（tǐ）屬（shǔ）於低溫等離子體（tǐ）。

截至2013年（nián），對低溫等（děng）離子體的作用機理研究認為是粒子非彈性碰撞的結果。低溫等離富含電子、離子、自由基和激發態分子，其中高能電子（zǐ）與氣（qì）體（tǐ）分子（原子）發生撞，將能量轉換（huàn）成基態分子（原子）的內能，發（fā）生激發、離解和電離等一係列過秸處（chù）於活化狀態。一方麵打開（kāi）了氣（qì）體分子鍵，生成一些單分子和固體微粒；另一力生．OH、H2O2．等自由基和氧化性極強的O3，在這一過程中高能電子起決定性作用（yòng），離子（zǐ）的熱運動隻有副作用。常壓下，氣體放電產生（shēng）的高度（dù）非平衡等離子體中電子（zǐ）溫層氏（shì）度）遠高於氣體溫度（室溫100℃左右（yòu））。在非平衡等離子體中可能發生各種類型（xíng）的化學反應，主要決定於電子的平均能量、電子密度、氣體溫度、有害氣體分（fèn）子（zǐ）濃度（dù）和（hé）≥氣體成分。這為一些需要很大活化能的反應如大氣中難降解汙染（rǎn）物的去除提供了另外也（yě）可以對低濃度、高流速、大風量的含（hán）揮發性有機汙染物和含硫類汙（wū）染物等進行（háng）處理。

常見的產生等（děng）離（lí）子（zǐ）體的（de）方（fāng）法是氣體放電，所（suǒ）謂氣體放（fàng）電是指通過某種機製使一電子從氣體原子或分子中電離出來，形成的氣體媒質（zhì）稱（chēng）為電離（lí）氣體，如（rú）果電離氣由（yóu）外電場產生並形成傳導電流（liú），這種現象稱為氣體放電。根據放電產生的機理、氣體（tǐ）的壓j源性質以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電（diàn）；③介質阻擋放（fàng）電；④射頻放電；⑤微波放電。無論哪一種形式（shì）產生的等離子體，都需（xū）要高壓（yā）放（fàng）電。容易打火產生危險。由於對諸如氣態汙染物的治理，一般要求在常壓下進（jìn）行。

光催化和生物淨化設備

光催化是常溫深度反（fǎn）應技術。光催（cuī）化氧化可（kě）在室溫（wēn）下將水、空氣和土壤中有機汙染物完全氧化成無毒無害（hài）的產物，而傳統的高（gāo）溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將汙染物（wù）摧毀（huǐ），即使用常規的（de）催化、氧化方（fāng）法亦需要幾百度的高溫。

從理論上講，隻要半導體吸收的（de）光能不小於其帶隙能，就足以激發（fā）產（chǎn）生電子和空（kōng）穴，該半導體（tǐ）就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或（huò）硫（liú）化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對（duì）特定反應有突出優點（diǎn），具體研（yán）究（jiū）中可根（gēn）據需要選用，如CdS半導體帶隙能（néng）較小，跟太陽光（guāng）譜中的近（jìn）紫外光段有較（jiào）好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發生光腐蝕，使用壽命有限。相對（duì）而言，Ti02的綜合性能較好，是最廣泛使用（yòng）和研究的單一化（huà）合物光催化劑。

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